SK하이닉스, 차세대 고사양 모바일용 6Gb D램 개발

SK하이닉스(www.skhynix.com)는 차세대 고사양 모바일 기기에 채용할 수 있는 6Gb D램을 개발했다고 30일 밝혔다.

이 회사가 개발한 6Gb(기가비트) LPDDR3은 20나노급 기술을 적용한 최적의 모바일 솔루션이다.
저전력 고용량을 구현해 1.2V의 초저전압에서 동작할 수 있으며 대기전력 소모량도 30% 줄일 수 있다.

특히 더 얇은 모바일 기기 구현이 가능해진다고 SK하이닉스는 설명했다.

이번에 개발한 6Gb LPDDR3의 속도는 1866Mbps로, 최대 초당 7.4GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 듀얼 채널(Dual Channel)이라면 14.8GB의 데이터 처리가 가능하다.

SK하이닉스 진정훈 상무는 "20나노급 6Gb D램 개발로 고용량 모바일 메모리의 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다"며 "모바일 포트폴리오를 지속적으로 다양화해 급속히 진화하는 모바일 시장에 적극 대응할 계획"이라고 말했다.<뉴시스>