삼성‧하이닉스 “반도체 불황에도 초격차 멈추지 않는다”

최근 메모리 반도체 업황 부진과 미·중 무역 분쟁 등으로 국내 반도체 산업에 대한 불안감이 커지고 있지만 삼성전자와 SK하이닉스 등 메모리 반도체 세계 1~2위 업체는 이에 아랑곳하지 않고 초격차 제품을 잇따라 내놔 글로벌 최강자의 위엄을 떨치고 있다.

2일 관련업계에 따르면 삼성전자는 앞서 지난 3월 업계 최초로 '12GB(기가바이트) LPDDR4X(Low Power Double Data Rate 4X) 모바일 D램' 양산을 시작했다.
◇삼성전자, 12GB 모바일 D램 선봬...SK하이닉스 세계 최초 128단 4D 낸드 내놔

12GB LPDDR4X 모바일 D램은 2세대 10나노급(1y) 16기가비트(Gb) 칩을 6개 탑재한 제품으로 기존 '8GB 모바일 D램' 보다 용량을 1.5배 높여 역대 최대 용량을 구현한 것이 특징이다.

삼성전자는 최근 모바일 업체들이 차세대 스마트폰에 5개 이상의 카메라 모듈, 대형/멀티 디스플레이, 인공지능 프로세서, 5G 통신서비스 등을 도입하는 추세를 감안해 더 높은 용량의 D램을 탑재하면 스마트폰 시스템 성능을 대폭 향상시킬 수 있을 것으로 기대하고 있다.

삼성전자는 올 하반기에는 8GB 이상 고용량 모바일 D램 라인업의 공급 물량을 3배 이상 확대해 글로벌 IT 고객들의 프리미엄 메모리 수요 증가에 적극 대응한다는 계획이다.

SK하이닉스는 지난달 26일 세계 최초로 128단 1Tbit(테라비트) TLC 4D 낸드플래시를 개발하고 양산에 나선다고 밝혔다.

SK하이닉스가 이번에 양산하는 128단 낸드는 업계 최고 적층으로 한 개 칩에 3 bit(비트)를 저장하는 낸드 셀(Cell) 3600억 개 이상이 집적된 1Tb 제품이다. SK하이닉스는 128단 낸드를 생산하기 위해 자체 개발한 4D 낸드 기술에 ▲초균일 수직 식각 기술 ▲고신뢰성 다층 박막 셀 형성 기술 ▲초고속 저전력 회로 설계 등 혁신적 기술을 적용했다.
또한 128단 1Tb 4D 낸드는 웨이퍼당 비트 생산성이 기존 96단 4D 낸드 대비 40% 향상됐다.

SK하이닉스는 이번 128단 1Tb 4D 낸드 개발이 낸드플래시 사업의 경쟁력을 확보하게 만드는 계기가 됐다고 평가한다.

이뿐만 아니라 SK하이닉스는 현재 128단 4D 낸드와 동일한 플랫폼으로 차세대 176단 4D 낸드 제품도 개발 중이다. 회사 측은 앞으로도 기술 우위를 통한 낸드 사업 경쟁력을 꾸준히 늘릴 방침이다.

◇DDR4 8GB램 가격 4달러선 붕괴..."5G 상용화로 메모리 업황 회복" 낙관론 고개 들어

최근 계속되는 메모리 반도체 불황과 미중 무역 분쟁의 영향으로 국내 반도체 업계는 그 어느 때보다 추운 겨울을 맞이하고 있다.

지난달 초 글로벌 시장조사 업체 디램익스체인지 발표에 따르면 PC에 주로 사용되는 DDR4 8Gb D램 제품의 5월 가격은 4월에 비해 6.25% 떨어진 평균 3.75달러를 기록해 4달러 선이 붕괴됐다. 이 같은 메모리 불황으로 지난달 우리나라 반도체 수출액은 전년보다 25.5% 감소했다.

그럼에도 삼성전자와 SK하이닉스가 메모리 반도체 투자를 멈추지 않는 이유는 메모리 업황 회복 시점이 얼마 남지 않았다고 판단하고 있기 때문이다.

투자업계는 ‘5G 상용화’ 등 영향으로 하반기부터 글로벌 메모리 반도체 시장이 회복세를 보일 것으로 내다보고 있다.

송명섭 하이투자증권 연구원은 “올해 D램 공급과잉은 전년 대비 축소될 전망이며 고객들의 D램 재고는 감소하고 있다”라며 “3분기 중순 이후 고객 재고 정상화와 신규 인텔 CPU 출시 영향에 의한 서버 D램 수요 회복으로 D램 업황과 가격은 점진적으로 안정세를 찾아갈 전망”이라고 분석했다.

김영우 SK증권 연구원도 “내년부터 글로벌 5세대 이동통신 (5G) 시장이 본격화되면 반도체 업황이 점진적으로 개선될 것”이라고 내다봤다.


오만학 글로벌이코노믹 기자 mh38@g-enews.com