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[초점] 삼성전자와 SK하이닉스, 'EUV 기술 전략' 갈림길

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[초점] 삼성전자와 SK하이닉스, 'EUV 기술 전략' 갈림길

삼성전자 로고. 사진=로이터 이미지 확대보기
삼성전자 로고. 사진=로이터
SK하이닉스 로고. 사진=로이터이미지 확대보기
SK하이닉스 로고. 사진=로이터


삼성전자와 SK하이닉스가 극자외선(EUV) 노광 기술을 둘러싸고 서로 다른 전략을 선택했다는 분석이 중국에서 나왔다.
중국의 유력 온라인 경제 매체 신랑재경은 두 기업이 EUV 노광 기술에 대해 서로 다른 행보를 보이고 있는 것으로 나타났다고 2일(현지시각) 보도하면서 “이는 글로벌 반도체 시장의 치열한 경쟁 속에서 양사가 각자의 강점을 극대화하려는 움직임으로 해석된다”고 분석했다.

신랑재경에 따르면 삼성전자는 지난해 조직 개편을 통해 글로벌 제조·인프라 총괄 산하에 ‘EUV 시너지 태스크포스(TF)’를 신설했다. 이는 3나노미터(㎚) 이하 반도체 공정의 수율 개선을 목표로 한 조직으로 EUV 장비 관리와 노광 및 트랙 장비의 생산성 향상에 중점을 둔 것으로 알려졌다.
EUV 시너지 TF는 세계 유일의 EUV 노광장비 제조업체인 네덜란드 ASML로부터 공급받은 대당 2억달러(약 2600억원)의 EUV 노광 장비와 세계적인 반도체 장비 생산업체인 도쿄 일렉트론의 트랙 장비를 포함해 다양한 핵심 장비와 부품의 생산성을 극대화하는 역할을 맡은 것으로 전해졌다.

삼성전자는 경기도 화성과 평택 공장에 30대 이상의 EUV 노광 장비를 도입, 지난 2019년부터 10나노급 6세대 D램과 3나노 이하 파운드리 공정에 EUV 기술을 적용해으나 여전히 미세공정의 수율 개선은 해결해야 하는 과제를 안고 있었다는 지적이다.

이에 비해 SK하이닉스는 조직 개편을 통해 기존의 EUV TF를 해체하고 ‘미래기술연구원’으로 통합했다. 이는 단기적인 생산성 개선보다 차세대 EUV 기술 개발에 집중하겠다는 의지로 풀이된다고 신랑재경은 분석했다.

SK하이닉스는 지난 2021년부터 10나노급 4세대 D램 공정에 EUV를 도입했으며, 경기도 이천 M16 공장에 10여대의 EUV 장비를 운영하고 있는 것으로 알려졌다. 또 올 하반기 중 처음으로 ‘고(高) NA EUV 장비’를 도입하는 등 차세대 EUV 기술 준비에 집중하고 있는 것으로 분석됐다.

신랑재경은 “이는 SK하이닉스가 즉각적인 생산성 개선보다는 기술 리더십 유지와 미래 경쟁력 확보를 최우선 과제로 삼고 있음을 보여준다”고 덧붙였다.

신랑재경에 따르면 삼성전자는 즉각적인 수율 개선과 생산성 향상을 목표로 하고, SK하이닉스는 장기적인 기술 리더십 확보에 초점을 맞추고 있다. NAND 시장에서는 비용 절감과 차세대 기술로의 전환이 공통된 과제로 부각되고 있기 때문이다.


김현철 글로벌이코노믹 기자 rock@g-enews.com