삼성전자가 차세대 메모리 기술인 3D DRAM 개발에 본격적으로 나서 DRAM 시장 지각 변동을 예고하고 있다. 삼성은 2025년 출시를 목표로 3D DRAM 기술 개발을 추진하며, 이를 통해 메모리 시장 판도를 뒤흔들 게임 체인저가 될 것으로 기대된다.
삼성전자는 지난 1월 3D DRAM 시장 선점을 위해 차세대 메모리 연구개발(R&D) 조직인 'R&D-Dram Path Finding'을 신설했다. 이 조직은 송재혁 삼성전자 DS 부문 CTO 겸 반도체연구소장이 직접 이끌며, 3D DRAM 기술 개발에 집중하고 있다.
삼성은 3D DRAM 개발에 수직 채널 트랜지스터(Vertical Channel Transistors)와 적층형 DRAM(Stacked DRAM)이라는 두 가지 혁신적인 기술을 도입할 계획이다. 수직 채널 트랜지스터는 기존 수평 방식의 트랜지스터보다 더 높은 전류 구동 능력과 더 빠른 스위칭 속도를 제공하여 성능을 크게 향상시킬 수 있다. 적층형 DRAM은 여러 칩을 쌓아 더 높은 메모리 용량을 제공하며, 칩 면적을 줄여 공간 효율성을 높일 수 있다.
삼성은 적층형 DRAM 개념을 활용하여 향후 칩 용량을 잠재적으로 100GB까지 늘릴 계획이다. 이는 현재 최고 수준인 32GB 칩 용량 대비 3배 이상 높은 수치다. 3D DRAM 기술은 스마트폰, 인공지능, 서버 등 다양한 분야에서 고용량 메모리가 필요한 곳에 활용될 수 있다.
삼성전자의 3D DRAM 기술 개발은 단순한 기술 혁신을 넘어 메모리 시장 지각변동을 가져올 수 있는 중요한 전략적 행보로 해석된다. 삼성은 3D DRAM 기술을 통해 경쟁사 대비 우위를 확보하고, 미래 메모리 시장에서 선두 자리를 유지할 수 있을 것으로 기대된다.
삼성전자는 지난해 10월 실리콘밸리에서 '메모리 테크 데이'를 열고 10나노미터(nm·1nm=10억분의 1m) 이하 D램에 3D 수직 신구조를 가장 먼저 도입하겠다고 밝힌 바 있다.
시장조사기관 트렌드포스에 따르면, 3D DRAM 시장은 2028년까지 1,000억 달러(약 135조1900억원 규모로 성장할 것으로 예상된다. 삼성전자는 3D DRAM 기술 개발에 앞장서면서 미래 메모리 시장을 주도할 것으로 전망된다.
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