[다시 뛰는 재계-삼성전자] HBM과 파운드리 시장 잡을 키워드는 ‘초격차’

삼성전자가 반도체 시장 주도권 확보를 위한 초격차 전략을 전개하고 있다.

14일 업계에 따르면 삼성전자는 올해안에 10nm(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) D램 양산에 나선다. 10나노급 6세대 제품 양산계획을 구체적으로 공개한 것은 10nm급 5세대 제품이후 1년만으로 삼성전자가 처음이다.
새로운 10nm급 6세대 제품은 전작보다 극자외선(EUV) 기술이 더 많이 사용되는 것이 특징이다. 이를 바탕으로 동일한 칩 면적에 소자를 더욱 정밀하게 배치함으로써 집적도를 높이고 보다 고용량 제품을 생산할 수 있다. 아울러 전력효율도 개선돼 제품이 출시되면 시장 수요가 대폭 증가할 것으로 전망된다.
이에 그치지 않고 삼성전자는 오는 2026년 10nm급 7세대 제품을 양산하고 2027년 이후에는 한자릿수 이하 nm급 공정에서 D램을 생산한다는 계획이다. 이 같은 전략은 기술력을 앞세워 시장을 선도하겠다는 삼성전자의 초격차 전략이 잘 드러나는 부분이다.

삼성전자는 HBM부문에서 ‘컴퓨트익스프레스링크(CXL) 생태계를 선점함으로써 HBM시장 주도권도 노리고 있다. CXL은 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU)를 연결해 데이터 처리 속도와 용량을 높이는 차세대 기술이다. HBM 시장의 차세대 기술로 각광 받고 있다.
파운드리 부문에서는 게이트올어라운드(GAA) 방식을 앞세워 선단 공정인 2나노 공정을 내년부터 양산한다. GAA는 삼성전자가 최초 개발한 기술로 기존 방식인 핀펫(FinFET) 방식대비 전력소모량과 성능이 개선된 것이 특징이다. 경쟁 기업인 대만의 TSMC가 핀펫 방식으로 제품을 생산하고 있지만 2나노 공정에서는 GAA방식 사용이 필수적이다. 이에 따라 3나노 공정부터 GAA기술을 적용한 삼성전자가 TSMC대비 축적된 기술 노하우가 높을 것으로 평가받고 있다.

낸드부문에서는 9세대 V낸드(V9) 양산을 통해 기술주도권을 가져간다. V9은 현재 삼성전자의 주력 제품인 236단 8세대 V낸드(V8)의 뒤를 잇는 최첨단 제품으로 업계 최고수준인 290단수준이 될 것으로 전망되고 있다. 삼성전자는 V9 제품을 출시해 낸드시장 석권을 노린다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com