SK하이닉스·SK키파운드리, 신제품 잇달아 선보이며 기술력 '과시'

고대역폭메모리(HBM)를 앞세워 메모리 반도체 분야에서 두각을 나타내고 있는 SK가 낸드와 전력반도체 부문에서도 잇달아 성과를 내고 있다.

11일 업계에 따르면 SK하이닉스는 데이터센터용 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSD) ‘PEB110 E1.S’(이하 PEB110)’를 개발했다. 신제품에 적용된 PCIe 5세대는 기존 4세대(Gen4)보다 대역폭이 2배로 넓어진 것이 특징이다. 이에 따라 PEB110의 데이터 전송 속도는 32GTs(초당 기가트랜스퍼)에 달한다. 이를 바탕을 PEB110은 이전 세대 대비 성능이 2배 향상됐고 전력 효율도 30% 이상 개선됐다.
자사 데이터센터용 SSD 최초로 이번 제품에 정보 보안 기능을 대폭 강화해주는 SPDM 기술이 적용됐다. SPDM은 서버 시스템을 보호하는 데 특화된 핵심 보안 솔루션으로 서버의 안전한 인증과 모니터링을 지원한다.

SK하이닉스는 이 제품을 △2TB(테라바이트) △4TB △8TB 등 3가지 용량 버전으로 개발했다. OCP 2.5버전 규격을 지원해 호환성을 향상시킴으로써 다양한 글로벌 데이터센터에 적용이 가능하다. SK하이닉스는 글로벌 데이터센터 고객사와 함께 PEB110에 대한 인증 작업을 진행중이다. 인증이 마무리되는 대로 내년 2분기부터 제품 양산을 시작해 시장에 공급한다는 계획이다.
안현 SK하이닉스 부사장(N-S커미트 담당)은 “이번 제품은 최고 성능이 입증된 당사 238단 4D 낸드를 기반으로 개발돼 △원가 △성능 △품질 측면에서 업계 최고 수준의 경쟁력을 확보했다"며 "고객 인증과 양산을 순조롭게 진행해 향후 지속적으로 성장해 나갈 데이터센터용 SSD 시장에서도 글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더의 위상을 공고히 할 것”이라고 말했다.



SK키파운드리도 모바일·전력 반도체 성능을 향상시킬 수 있도록 개선된 4세대 0.18㎛(마이크로미터) BCD 공정을 출시한다. 4세대 공정은 기존 3세대 대비 성능이 20% 향상됐다. △3.3V(볼트) △5V △18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자를 제공한다.

△서버 △노트북용 전력반도체(PMIC) △DDR5 메모리용 PMIC △모바일 차저 △오디오 앰프 등 다양한 응용 분야에서 고객 필요에 맞는 사양으로 사용할 수 있는 것이 특징이다. 자동차용 전력 반도체에 사용 가능하도록 125도 고온 환경에서 집적회로(IC) 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 1등급을 만족했다.

굵은 인터 메탈 다이얼렉트릭 옵션 제공을 통해 1만5000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터제품 설계 또한 가능하다.

이동재 SK키파운드리 대표는 "개선된 성능의 새로운 4세대 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"면서 "전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 포부를 밝혔다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com