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[힘잃는 반도체 비관론]K반도체 위기 탈출 카드 HBM, 파운드리 기술에 달렸다

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[힘잃는 반도체 비관론]K반도체 위기 탈출 카드 HBM, 파운드리 기술에 달렸다

삼성전자·SK하이닉스, HBM4 개발에 파운드리 기술 활용…제품 완성도에 영향 미칠 가능성

삼성전자의 업계 최초 36GB(기가바이트) HBM3E 12H(12단 적층) D램(왼쪽)과 SK하이닉스가 세계 최초로 본격 양산하는 HBM3E. 사진=삼성전자, SK하이닉스이미지 확대보기
삼성전자의 업계 최초 36GB(기가바이트) HBM3E 12H(12단 적층) D램(왼쪽)과 SK하이닉스가 세계 최초로 본격 양산하는 HBM3E. 사진=삼성전자, SK하이닉스
고대역폭메모리(HBM) 시장을 주도하고 있는 삼성전자와 SK하이닉스가 파운드리 기술에 주목하고 있다. 세대가 높아지고 집적도가 높아질수록 제품생산에 파운드리 기술이 필수적이기 때문이다. 양사는 파운드리 기술을 접목한 HBM을 앞세워 반도체시장 침체론을 정면 돌파한다는 전략이다.

29일 업계에 따르면 양사는 HBM4 제품개발에 필수적인 파운드리 기술 확보를 위해 서로다른 전략을 꺼내 들었다. 삼성전자는 △메모리 △낸드 △패키징 △파운드리(반도체 수탁생산) 등 반도체 전라인업을 보유한 올인원 기업을 표방하는 만큼 파운드리 사업부의 기술력을 이용한다는 전략이다.
삼성전자의 파운드리 사업부는 대만의 TSMC에 이어 글로벌 2위를 달리고 있는 만큼 기술력에서 부족함이 없다. 삼성전자는 선단공정에서 4nm(10억분의 1m, 나노미터)베이스다이 등을 도입할 계획인 것으로 알려졌다.

자체적인 파운드리 사업부가 없는 SK하이닉스는 파운드리부문에서 글로벌 1위를 달리고 있는 대만의 TMSC와 손을 잡았다. HBM 시장에서 1위를 달리고 있는 SK하이닉스의 기술력과 파운드리 시장 1위를 달리고 있는 TSMC의 기술력을 결합한다는 전략이다.
HBM4를 공동으로 개발중인 양사는 최근 개최된 TSMC의 '오픈 이노베이션 플랫폼(OIP) 포럼'에서 이병도 SK하이닉스 HBM 패키지 TE TL이 "TSMC 베이스 다이를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것"이라고 밝히기도 했다.

삼성전자와 SK하이닉스가 파운드리 기술에 집중하는 이유는 HBM이 고도화될수록 파운드리기술이 제품의 성패를 좌우하는 요소가 될수 있기 때문이다.

파운드리부문은 TSMC와 삼성전자, 인텔 등이 초미세공정 경쟁을 벌이고 있다. 인텔은 최근 경영난으로 계획달성이 힘들어졌지만 TSMC와 삼성전자는 오는 2026년 1nm대 제품을 양산한다는 계획이다. HBM4에 4nm기반 베이스다이가 사용될 예정인만큼 파운드리 기술이 고도화될수록 HBM제품 효율도 좋아질 수 있다.

HBM이 AI 기술 특수를 누리고 있는 대표적인 제품이라는 점은 반도체시장 침체 가능성을 돌파할 수 있는 카드로 주목 받는 이유다. 최근 미국의 투자은행 모건스탠리가 HBM 공급 과잉 가능성을 제기했지만 업계는 AI기술 수요가 있는 한 HBM의 수요도 지속적으로 증가할 것이라는데 의견을 같이한다. 시장조사기관 욜그룹에 따르면 글로벌 HBM 시장 규모는 올해 141억달러에서 오는 2029년 377억 달러 규모로 성장할 것으로 전망됐다.

삼성전자와 SK하이닉스가 글로벌 HBM 시장 점유율 90%이상을 차지하고 있다는 점도 HBM 공급과잉설이 설득력을 갖지 못하게 한다. 양사전략에 따라 HBM 시장 공급과잉과 부족이 결정될 수 있어서다.

업계 관계자는 “엔비디아를 비롯해 인텔 등 IT기업들이 새로운 AI칩셋을 공개하는 만큼 HBM수요는 탄탄한 편”이라며 “HBM제품에서 파운드리 기술 비중이 점차 높아지는 추세”라고 말했다.


장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com