삼성전자, '차세대 메모리' 28나노 M램 출하

[글로벌이코노믹 오만학 기자] 삼성전자는 ‘28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 M램)’ 솔루션 제품을 출하했다고 6일 밝혔다.

M램은 기존 플래시 메모리보다 쓰기 속도가 약 1000배 빠르고 전력 소모가 적은 차세대 메모리다. 비휘발성으로 전원을 꺼도 데이터가 유지되지만, D램 수준으로 속도가 빠르다는 장점이 있다.
삼성전자가 이번에 출하한 M램은 내장형(embedded) 메모리다. 소형 전자 제품에 사용하는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 등 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 한다. 기존에는 주로 플래시 메모리를 사용해왔다.

삼성전자가 이번 M램 생산에 사용한 FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있다.
삼성전자 관계자는 "삼성전자의 eM램 솔루션은 단순한 구조를 가지고 있어 기존 공정 기반 설계에 최소한의 레이어(Layer·층)를 더하는 것만으로 구현이 가능하다"며 "때문에 고객사 설계 부담을 줄이고 생산비용을 낮출 수 있다"고 설명했다.

삼성전자는 지속적인 개발로 올해 안에 1Gb(기가비트) eM램 테스트칩 생산을 시작할 계획이다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 "이미 검증된 삼성 파운드리 로직 공정에 eM램을 확대 적용해 시장의 요구에 대응해가겠다"고 말했다.


오만학 기자 mh38@g-enews.com