미국 정부가 삼성전자에 지원하는 반도체 보조금은 미국 반도체기업인 인텔(85억 달러·11조8000억 원)과 대만 기업인 TSMC(66억 달러·9조1000억 원)에 이어 3번째로 큰 규모다.
이같은 보조금 지급에 따라 삼성전자는 현재 미국 텍사스주 테일러시에 170억 달러(약 23조5000억 원)를 투자해 건설 중인 반도체 공장의 규모와 투자 대상을 확대해 오는 2030년까지 총 약 450억 달러(약 62조3000억 원)를 투자할 계획이다. 기존 투자 규모의 두 배가 넘는 것이다.
삼성전자의 첫 번째 텍사스 테일러 공장은 2026년부터 4나노미터 및 2나노미터 반도체를 생산할 예정이다. 두 번째 공장은 2027년부터 첨단 반도체를 양산할 계획이다. 연구·개발 팹 역시 2027년 문을 열 예정이다.
러몬도 장관은 "조 바이든 대통령의 '인베스트 인 아메리카' 의제에 따라 또 한 번의 역사적 투자를 기념하게 됐다"며 "이로써 세계 최첨단 반도체가 미국에서 생산될 것"이라고 강조했다.
미 정부 고위 당국자는 "삼성전자에 대한 투자(보조금 제공)는 첨단 반도체 기술을 미국으로 되돌리기 위한 세 번째이자 삼각축의 마지막 완성이 되는 투자"라며 "삼성전자의 400억 달러대 투자와 짝을 이뤄 이번 투자는 미국 역사상 대규모 외국인 투자 가운데 하나로 기록될 것"이라고 말했다.
장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com