인텔, 데이터센터 겨냥 3나노급 반도체 '인텔 3' 양산 개시

인텔이 데이터센터 시장을 겨냥한 3나노미터(nm)급 반도체 공정 기술 '인텔 3'의 대량 생산을 시작했다고 톰스 하드웨어가 20일(현지시각) 보도했다. 이번 양산은 인텔 파운드리(반도체 위탁생산) 사업 확장의 신호탄으로 해석된다.

'인텔 3'는 기존 '인텔 4' 공정 대비 동일 전력 및 트랜지스터 밀도에서 성능을 18% 향상시킨 최첨단 기술이다. 특히, 초고성능 애플리케이션을 위한 1.2V 전압을 지원하며, 0.6V 미만의 저전압부터 1.3V 이상의 고전압까지 폭넓은 전압 범위에서 작동한다.

인텔은 고객 맞춤형 칩 제작을 위해 240nm 고성능 및 210nm 고밀도 라이브러리, 14층/18층/21층 메탈 스택 등 다양한 옵션을 제공한다. 현재 미국 오리건주와 아일랜드 공장에서 '인텔 3' 공정을 활용해 제온 6 프로세서를 생산 중이며, 향후 데이터센터용 칩 외에도 다양한 제품군에 적용할 계획인 것으로 알려졌다.

인텔은 '인텔 3' 기반의 파생 공정 기술도 선보일 예정이다. 실리콘 비아를 통해 기본 다이로 사용 가능한 '인텔 3T', 칩셋 및 스토리지 애플리케이션용 '인텔 3-E', AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC)용 '인텔 3-PT' 등이 개발 중이다.
이번 '인텔 3' 양산은 TSMC, 삼성전자 등 경쟁사와의 파운드리 경쟁에서 인텔의 입지를 강화하는 데 기여할 것으로 전망된다. 특히, 데이터센터 시장에서 높은 성능과 전력 효율성을 요구하는 고객들에게 매력적인 솔루션을 제공할 수 있을 것으로 기대된다.


노정용 글로벌이코노믹 기자 noja@g-enews.com