인텔, 3나노 공정 칩 대량 생산 시작…TSMC와의 파운드리 전쟁 본격화

인텔이 3nm(나노미터) 공정 칩 대량 생산에 돌입하며 파운드리 시장에서 TSMC와의 본격적인 경쟁을 예고했다.

팻 겔싱어 인텔 CEO는 "인텔이 돌아왔다"고 선언하며 3나노 공정 칩 대량 생산 소식을 전했다. 이는 인텔의 '4년 안에 5개 노드' 계획의 일환으로, TSMC를 따라잡기 위한 인텔의 노력이 결실을 맺은 것이다.
인텔은 미국 오리건주와 아일랜드 공장에 3나노 공정 칩 생산 라인을 구축하고 본격적인 양산에 돌입했다. 지난해 말 3나노 공정 기술 개발을 완료한 데 이어 대량 생산까지 성공함으로써 파운드리 시장에서의 입지를 강화할 수 있게 됐다.

이번에 생산되는 3나노 칩은 핀펫(FinFET) 설계를 사용하는 마지막 제품이 될 예정이다. 인텔은 2011년 아이비 브릿지 프로세서에 핀펫 기술을 처음 도입하며 반도체 미세 공정 경쟁을 주도했지만, 이후 TSMC에 밀려 고전을 면치 못했다.
인텔은 3나노 이후에는 더욱 발전된 GAAFET(Gate-All-Around FET) 구조를 채택할 계획이다. GAAFET는 핀펫보다 성능과 전력 효율이 뛰어나 차세대 반도체 기술로 주목받고 있다. 인텔은 2025년 출시 예정인 '인텔 20A' 공정에 GAAFET 구조를 적용할 예정이다.

인텔은 3나노 공정을 기반으로 다양한 종류의 칩을 생산할 계획이다. 기본 노드인 '인텔 3' 외에도 칩렛(Chiplet) 설계에 최적화된 '인텔 3-T', 다양한 입출력 기능을 제공하는 '인텔 3-E', 모든 기능을 통합하고 성능을 향상시킨 '인텔 3-PT' 등을 선보인다.

인텔의 차세대 모바일 칩 '루나 레이크(Lunar Lake)'는 TSMC의 3나노 공정인 N3B에서 생산될 예정이다. 이는 인텔 3나노 공정보다 앞서 양산에 들어간 TSMC 공정을 활용해 최고의 성능과 전력 효율을 확보하기 위한 전략적 선택이다.

인텔은 3나노 공정의 수율을 높이고 2025년에는 더욱 발전된 2나노 공정인 '인텔 18A'를 출시하여 TSMC와의 격차를 완전히 해소한다는 목표다. 겔싱어 CEO는 "인텔은 더 이상 뒤처지지 않을 것"이라며 파운드리 시장에서의 경쟁력 강화에 대한 강한 의지를 드러냈다.

업계에서는 인텔의 3나노 공정 칩 대량 생산이 파운드리 시장에 어떤 영향을 미칠지 주목하고 있다. TSMC가 독주하던 파운드리 시장에 인텔이 다시 한번 도전장을 내밀면서 경쟁은 더욱 치열해질 전망이다. 특히 인텔이 GAAFET 기술을 앞세워 TSMC를 추월할 수 있을지 관심이 집중된다.


노정용 글로벌이코노믹 기자 noja@g-enews.com