9조4000억원 투자해 2027년 5월 준공 목표…HBM 등 차세대 D램 생산 예정

25일 업계에 따르면 SK하이닉스는 전날 용인 반도체 클러스터에 건설되는 SK하이닉스 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다. 당초 착공은 다음 달 예정이었지만 공사가 다소 앞당겨졌다.
용인 반도체 클러스터는 용인시 처인구 원삼면 일대 총 415만㎡(약 126만 평) 규모 부지에 △SK하이닉스 팹 약 198만㎡(약 60만 평) △소부장 업체 협력화단지 약 46만㎡(약 14만 평) △인프라 부지 약 33만㎡(약 12만 평) 등이 들어설 반도체 산업단지다. SK하이닉스는 2046년까지 총 120조원을 투자해 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 이 중 첫 번째 팹에 약 9조4000억원을 투자해 2027년 5월을 준공 목표로 하고 있다.
SK하이닉스는 이곳을 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로 활용해 급증하는 AI 메모리 반도체 수요를 적기에 대응한다는 방침이다. 특히 클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업이 함께 들어서게 될 예정으로 이들과의 시너지효과도 낸다는 방침이다.
용인 반도체 클러스터는 2019년부터 추진됐지만 환경규제를 비롯한 각종 규제 문제로 사업이 지연됐다. 미국을 비롯한 일본, 대만 등 세계 각국이 반도체 패권을 노리고 경쟁적으로 자국에 반도체 시설 확장에 나섰지만, 국내는 △지방자치단체 반발 △토지 보상 문제 △환경영향평가 등으로 6년이나 늦어진 셈이다.
SK하이닉스는 "클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할을 수행할 것"이라고 밝혔다.
장용석 글로벌이코노믹 기자 jangys@g-enews.com