중국, 메모리반도체 급성장...2025년 시장점유율 10% 목표

중국의 메모리반도체 산업이 급성장하며 글로벌 시장 판도가 요동치고 있다. 중국 반도체 전문매체 오프위크(OFweek)는 중국 메모리반도체 제조업체들이 올해 생산능력을 2배로 확대할 계획이라고 19일(현지시각) 보도했다.

양쯔메모리테크놀로지(YMTC)와 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 낸드플래시와 D램 분야에서 기술력을 빠르게 향상시키고 있다. YMTC는 세계 최초로 232단 3차원(3D) 낸드플래시 메모리를 양산하고 있다. 이 제품은 단위면적당 15.47기가비트의 저장 밀도를 구현해 삼성전자와 마이크론의 176단 제품을 뛰어넘는 성능을 보여주고 있다.

CXMT는 차세대 메모리인 DDR5 제품 양산을 시작했다. 업계에 따르면 CXMT의 DDR5 생산 수율은 약 80%에 도달한 것으로 알려졌으나, 일각에서는 실제 수율이 10~20% 수준일 수 있다는 관측도 제기되고 있다.

다만 중국 업체들은 여전히 글로벌 선도 기업들과 기술격차가 있는 것으로 평가된다. YMTC는 낸드플래시 분야에서 삼성전자, SK하이닉스와 1~2년의 기술격차가 있으며, CXMT는 D램 분야에서 삼성전자와 최소 1.5년에서 최대 5년의 기술격차가 있는 것으로 분석된다.
시장조사기관들은 2025년 D램 시장 규모가 전년 대비 51% 증가한 1365억 달러에 이를 것으로 전망했다. 특히 인공지능(AI) 수요 증가로 고대역폭메모리(HBM) 시장이 2025년 400억 달러 규모로 성장할 것으로 예측했다.

일본 경제매체 닛케이는 중국 메모리반도체 업체들의 시장점유율이 2023년 5%에서 2025년 말까지 10%로 상승할 것으로 전망했다. 2017년 이전 자체 생산이 전무했던 것과 비교하면 급격한 성장이다.

닛케이는 '중국이 고대역폭메모리(HBM) 기술을 보유하고 있으며, SK하이닉스와의 기술격차도 점차 줄어들고 있다'고 보도했다.

한편, 중국은 연간 1000억 달러 이상을 메모리반도체 수입에 지출해왔다. 오프위크는 "중국 정부가 자급률을 높이고 대외 의존도를 줄이기 위해 자체 메모리반도체 기반을 구축했다"고 설명했다.

오프위크는 "미국의 지속적인 제재에도 불구하고 중국의 메모리반도체 산업이 기술적 돌파구를 마련하고 있다"고 전했다.

이 매체는 또 "메모리반도체 시장이 고점과 저점을 반복하는 순환적 특성을 보이는 만큼, 10%의 시장점유율은 시장 변동성 속에서 의미 있는 영향력을 발휘할 수 있는 수준"이라고 분석했다.

글로벌 메모리반도체 기업들의 대응 전략도 변화하고 있다. 지난해까지 가격 인상을 자제하던 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론테크놀로지는 2024년 2분기부터 가격 인상으로 선회했다. 업계에 따르면 2024년 3분기 계약 가격은 당초 예상보다 5%포인트 높은 8-13% 수준에서 결정됐다.

또한, 이들 기업은 가격 경쟁 외에도 고부가가치 제품으로 전략을 전환하고 있다. 삼성전자는 32기가비트 DDR5와 고대역폭메모리(HBM3E) 생산을 확대하고 있으며, SK하이닉스도 2025년부터 HBM 생산을 DDR5보다 우선 추진할 계획이다.

생산량 조정도 진행 중이다. 삼성전자는 중국 내 낸드플래시 생산을 조정하고 있으며, 마이크론은 2025년 상반기까지 모바일, PC, 자동차용 반도체 수요 약세가 이어질 것으로 보고 생산량을 조절하고 있다.


박정한 글로벌이코노믹 기자 park@g-enews.com