삼성전자, 美 ISSCC 2025서 기조연설

송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장과 나비드 샤리아리(Navid Shahriari) 인텔 파운드리 기술개발 수석부사장이 '국제고체회로학회(ISSCC) 2025'에 기조연설자로 나선다.

당초 기조연설은 팻 겔싱어 인텔 전 최고경영자(CEO)와 이정배 삼성전자 전 메모리사업부장(사장)이 맡을 예정이었지만, 두 사람 모두 올해 연말 자리에서 물러나면서 연설자가 교체됐다.
29일 ISSCC를 주관하는 국제전기전자공학자협회(IEEE) 홈페이지에 따르면 최근 이 같이 바뀐 기조연설자 명단이 공지됐다.

ISSCC는 반도체 회로분야 최고 권위 학술대회로 'ISSCC 2025'는 내년 2월16일(현지 시각)부터 20일까지 미국 샌프란시스코에서 열린다.
앞서 ISSCC 2024와 ISSCC 2023에서는 각각 케빈 장 TSMC 사업개발담당 수석부사장, 리사 수 AMD CEO가 기조연설을 진행한 바 있다.

송 사장은 내년 행사에서 '메모리 기술 혁신에 따른 AI 혁명'을 주제로 삼성전자의 메모리 기술력과 차세대 메모리 설루션을 알릴 것으로 예상된다.

또 샤리아리 수석부사장은 '인공지능(AI) 시대 혁신 매트릭스' 주제로 발표에 나선다. 이 자리에서 인텔의 파운드리(반도체 위탁생산) 기술력과 공정 로드맵을 소개할 가능성도 있다.

아울러 이번 행사에서 삼성전자는 400단 이상의 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 3D 낸드 플래시와 함께 4나노 플래그십 모바일 시스템온칩(SoC), CMOS 이미지센서, 게이트올어라운드(GAA) 기반 파운드리 기술 등의 연구개발 성과를 공유할 계획이다.

지난달 321단 1Tb TLC 4D 낸드 양산 소식을 알리며 '300단 낸드 시대'의 포문을 열었던 SK하이닉스도 이곳에서 용량과 성능을 향상시킨 321단 2Tb QLC(쿼드러플레벨셀) 3D 낸드 관련 기술을 소개할 것으로 보인다.


김태우 글로벌이코노믹 기자 ghost427@g-enews.com